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微纳光学在LED芯片中应用研究|博奥体育app

发布时间:2022-08-21 18:17   浏览次数:次   作者:博奥体育app
本文摘要:自1991年GaN Blu-ray LED上市以来,Gan Blu-ray LED近年来发展迅速。目前,高效的基于GaN的LED已被广泛使用为全彩色显示器、实体光、液晶背光等。LED的寿命长、功耗少、环保、冲击、抗震等优点使LED照明市场增长迅速。 但是,由于半导体和空气之间折射率的差异引起的总反射,LED表面的光提取效率较低,一般GaN半导体材料的折射率为2.5,可以从总反射规律看出。半导体到空气中总反射角的阈值是24度,因此低于24度的光线不能从半导体材料中逸出。

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自1991年GaN Blu-ray LED上市以来,Gan Blu-ray LED近年来发展迅速。目前,高效的基于GaN的LED已被广泛使用为全彩色显示器、实体光、液晶背光等。LED的寿命长、功耗少、环保、冲击、抗震等优点使LED照明市场增长迅速。

但是,由于半导体和空气之间折射率的差异引起的总反射,LED表面的光提取效率较低,一般GaN半导体材料的折射率为2.5,可以从总反射规律看出。半导体到空气中总反射角的阈值是24度,因此低于24度的光线不能从半导体材料中逸出。

因此,总体反射对LED的光提取效率有相当大的影响。因此,如何增加总反射,提高LED的光提取效率,正在沦为当今研究热点之一。

本文主要介绍了LED芯片表面或芯片内部多种微结构的加工,都需要提高LED的照明效率。1LED表面微结构技术传统的基于GaN的LED在560上使用化学气相沉积(MOCVD)技术吗?沉积C左右蓝宝石基底分别混合Si的N型肝材料和混合Mg的P型肝材料,在两种材料之间形成量子阱(MQW)。在P型肝材料上再镀一层ITO膜(氧化铟锡)的这种金属氧化物半透明导电膜是半透明电极,具有强化电极,增强从光亮度和阻断芯片升到天空的电子电磁辐射、紫外线、远红外等[6]的作用。

LED的基本结构如图1的右图所示。利用清华大学的张贤鹏等[8] Cl2/Ar/BCl3气体基传感器结合等离子体(ICP)光刻技术,制作了p-GaN表面直径为3u03BCm、周期为6u03BCm的微结构。

这种微结构使GaN基蓝光LED芯片的光荧光效果提高了42.8%,LED组件电流为20毫安时,芯片前端的光效率提高了38%,42.8%%uFF0C背面的光效率提高了10%。


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